El carbur de silici és un material semiconductor compost inorgànic compost de silici (Si) i carboni (C) en una proporció 1:1, formant una estructura tetraèdrica de Si-C única. Aquesta estructura confereix al carbur de silici excel·lents propietats físiques i químiques, com ara una alta duresa (segona només per al diamant), un ampli interval de banda (fins a 3,26 eV), una alta conductivitat tèrmica, una temperatura de funcionament elevada, una alta resistència a la corrosió, etc.
