El carbur de silici és un material semiconductor compost inorgànic compost per silici (SI) i carboni (C) en una proporció 1: 1, formant una estructura tetraèdrica Si-C única. Aquesta estructura proporciona un carbur de silici excel·lents propietats físiques i químiques, incloent alta duresa (segon només a diamant), ampli bandgap (fins a 3,26 eV), alta conductivitat tèrmica, alta temperatura de funcionament, alta resistència a la corrosió, etc.
