Carbur de silici sic

El carbur de silici sic no té un punt de fusió i bullició en el sentit general i té un petit coeficient d’expansió tèrmica i una alta conductivitat tèrmica. La resistivitat de SIC d’alta puresa disminueix amb l’augment de la temperatura i la relació entre la resistivitat i la temperatura de SIC que contenen impureses és complicada
El carbur de silici sic és un material no metàl·lic important i el material semiconductor de tercera generació.
El carbur de silici sic és una mena de material amb alta duresa, alta punt de fusió, alta estabilitat química, bona conductivitat tèrmica i excel·lents propietats elèctriques.
Es pot utilitzar en abrasius, refractaris, productes químics, dispositius electrònics, camps d’automoció i energia nuclear.
Al camp dels envasos electrònics, es pot utilitzar com a material d'embalatge per realitzar calor ràpidament; En el camp del recobriment resistent al desgast, es pot utilitzar per preparar el recobriment resistent al desgast, millorar la vida útil de peces mecàniques, eines, etc .; En el camp de l’òptica, es pot utilitzar per fabricar detectors ultraviolats, finestres òptiques, etc.
Factor de preu: les matèries primeres de grau semiconductor tenen requisits de puresa elevats, costos elevats de purificació i els seus costos són sovint 3-5 vegades que les de matèries primeres de grau industrial i la demanda d’actualitzacions tecnològiques pot augmentar els preus a curt termini.